松下傳感器是將各種非電量（包括物理量、化學量、生物量等）按一定規(guī)律轉換成便于處理和傳輸的另一種物理量 （一般為電量）的裝置。傳感器一般由敏感元件、轉換元件和測量電路三部分組成，有時還需外加輔助電源。

制造半導體傳感器的基本原理是利用硅晶體的壓阻效應。單晶硅材料在受到應力作用后，其電阻率發(fā)生明顯變化，這種現象稱為壓阻效應。

松下傳感器所用的元件材料是具有壓阻效應的單晶硅、擴散摻雜硅和多晶硅。根據晶體不受定向應力時，電導率是同性的，只有受定向應力時才表現出各向異性，由于應力能引起能帶的變化，能谷能量移動，導致電阻率的變化，于是就有電阻的變化，從而產生壓阻效應。

單晶硅效應包括n型和p型硅壓阻效應。選用擴散硅目的在于在設計制造松下傳感器時可根據不同溫度下硅擴散層的壓阻特性選擇合適的擴散條件，力求使傳感器具有良好的性能。多晶硅在傳感器中有廣泛的用途，可作為微結構和填充材料、敏感材料。